Советские микросхемы для построения запоминающих устройств
Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться от версии, проверенной 24 мая 2021 года; проверки требует 1 правка.
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/5/5f/%D0%9C%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D1%8B_%D0%9E%D0%97%D0%A3_%D0%B2_%D0%B7%D0%BE%D0%BB%D0%BE%D1%82%D1%8B%D1%85_%D0%B8_%D1%80%D0%BE%D0%B7%D0%BE%D0%B2%D1%8B%D1%85_%D1%82%D0%BE%D0%BD%D0%B0%D1%85.jpg/220px-%D0%9C%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D1%8B_%D0%9E%D0%97%D0%A3_%D0%B2_%D0%B7%D0%BE%D0%BB%D0%BE%D1%82%D1%8B%D1%85_%D0%B8_%D1%80%D0%BE%D0%B7%D0%BE%D0%B2%D1%8B%D1%85_%D1%82%D0%BE%D0%BD%D0%B0%D1%85.jpg)
Для построения памяти компьютера, как оперативной памяти, так и постоянной, широко применяют полупроводниковые запоминающие устройства. Зачастую эти устройства строятся на микросхемах. В зависимости от конструкторских требований к создаваемому компьютеру, производится выбор типа, вида и конкретной серии микросхем.
Сводные данные микросхем, применявшихся в СССР для создания памяти компьютера[править | править код]
Тип | Технология изготовления |
Информационный объём, бит |
Организация, слов × разрядов |
Время выборки адреса, нс |
Потребляемая мощность, мВт |
---|---|---|---|---|---|
К500РУ145 | ЭСЛ | 64 | 16 × 4 | 10 | 825 |
К531РУ11П | ТТЛШ | 64 | 16 × 1 | 40 | 550 |
К155РУ5 | ТТЛ | 256 | 256 × 1 | 90 | 735 |
К176РУ2 | КМОП | 256 | 256 × 1 | 900 | 19 |
К561РУ2А/Б | КМОП | 256 | 256 × 1 | 970/1600 | 2,8/5 |
К132РУ2А/Б | n-МОП | 1 К | 1 К × 1 | 950 | 440 |
К132РУ3А/Б | n-МОП | 1 К | 1 К × 1 | 75/125 | 660 |
К155РУ7 | ТТЛ | 1 К | 1 К × 1 | 45 | 840 |
К537РУ1А/Б/В | КМОП | 1 К | 1 К × 1 | 800/1300/2500 | 0,5 |
КР565РУ2А/Б | n-МОП | 1 К | 1 К × 1 | 450/850 | 385 |
КМ132РУ8А/Б | n-МОП | 4 К | 1 К × 4 | 60/100 | 900 |
К541РУ2А | И2Л | 4 К | 1 К × 4 | 120/90 | 525 |
КР537РУ3А/Б/В | КМОП | 4 К | 4 К × 1 | 320 | 110 |
КР537РУ4А/Б | КМОП | 4 К | 4 К × 1 | 200/300 350/500 (цикл) |
0,125 (хранение) 100 (динамически) |
КР537РУ6А/Б | КМОП | 4 К | 4 К × 1 | 160/300 240/390 (цикл) |
0,05/0,15 (хранение) |
КР537РУ11А/Б/В | КМОП | 4 К | 0,25 К × 16 | 300/300/430 (цикл) | 0,15/0,4/1,5 (хранение) |
КР537РУ13/А/Б | КМОП | 4 К | 1 К × 4 | 160/95/160 (цикл) | 25 (хранение) 250 (динамически) |
КР537РУ14А/Б | КМОП | 4 К | 4 К × 1 | 80/130 (цикл) | 25 (хранение) 175 (динамически) |
К541РУ31…34 | И2Л | 8 К | 8 К × 1 | 150 | 565 |
КР537РУ8А/Б | КМОП | 16 К | 2 К × 8 | 220/400 | 5/10 (хранение) 50/100 (динамически) |
КР132РУ6А/Б | n-МОП | 16 К | 16 К × 1 | 75/120 | 140/440 |
К541РУ3/А | И2Л | 16 К | 16 К × 1 | 150/100 | 565 |
КР537РУ9А/Б | КМОП | 16 К | 2 К × 8 | 190/340 350/500 (цикл) |
1/2,5 (хранение) 175 (динамически) |
КР537РУ10 | КМОП | 16 К | 2 К × 8 | 450 450 (цикл) |
25 (хранение) <300 (динамически) |
КР537РУ25А/Б/В | КМОП | 16 К | 2 К × 8 | 450 450 (цикл) |
0,025...0,05 (хранение) <250 (динамически) |
КР537РУ18 | КМОП | 16 К | 16 К × 1 | 150 | 1.25...2 (хранение) 100 (динамически) |
КР537РУ16А/Б/В/Г | КМОП | 64 К | 8 К × 8 | 150...400 150...400 (цикл) |
5...10 (хранение) 175...250 (динамически) |
КР537РУ17 | КМОП | 64 К | 8 К × 8 | 130 130 (цикл) |
0,38...0,75 (хранение) 350 (динамически) |
КР537РУ19/А/Б | КМОП | 64 К | 64 К × 1 | 65...95 | 1,25 (хранение) 350 (динамически) |
КР565РУ6Б/В/Г/Д | n-МОП | 16 К | 16 К×1 | 230…460 | 150/140/130/120 |
К565РУ5Б/В/Г/Д | n-МОП | 64 К | 64 К×1 | 230…460 | 21…32 |
К565РУ7В/Г/Д | n-МОП | 256 К | 256 К×1 | 340/410/500 | 120…150 |
К155РЕ21/22/23/24 | ТТЛ | 1 К | 256×4 | 70 | 690 |
КР568РЕ2 | n-МОП | 64 К | 8 К×8 | 400 | 590 |
К569РЕ1 | ТТЛ | 64 К | 8 К×8 | 350 | 640 |
КР568РЕ3 | n-МОП | 64 К | 16 К×4 | 800 | 300 |
КР556РТ1Б | ТТЛШ | 8 К | 2К×4 | 60 | 740 |
КР556РТ16 | ТТЛШ | 64 К | 8К×8 | 85 | 1000 |
КР556РТ17 | ТТЛШ | 4 К | 0,512К×8 | 50 | 890 |
КР556РТ18 | ТТЛШ | 16 К | 2К×8 | 60 | 950 |
К573РФ23/24 | n-МОП | 8К | 2К×4 | 450 | 200/580 |
К573РФ33/34 | n-МОП | 16 К | 1К×16 | 200/580 | 200/580 |
К573РФ2 | n-МОП | 16 К | 2К×8 | 450 | 200/580 |
К537РФ5 | n-МОП | 16 К | 2К×8 | 450 | 135/580 |
К573РФ31/32 | n-МОП | 32 К | 2К×16 | 450 | 450 |
К537РФ41/42 | n-МОП | 32 К | 4К×8 | 500 | 700 |
К573РФ43/44 | n-МОП | 32 К | 8К×4 | Н/Д | Н/Д |
К573РФ3 | n-МОП | 64 К | 4К×16 | 450 | 210/450 |
К573РФ4 | n-МОП | 64 К | 8К×8 | 500 | 200/700 |
К573РФ6 | n-МОП | 64 К | 8К×8 | 500 | 265/870 |
Микросхемы для построения ОЗУ[править | править код]
ИМС | Тип корпуса | Примечание |
---|---|---|
К132РУ3А | 4112.16-2 | Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс |
К132РУ3Б | 4112.16-2 | Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс |
КМ132РУ3А | 201.16-8 | Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс |
КМ132РУ3Б | 201.16-8 | Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс |
КМ132РУ5А | 2104.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 60 нс |
КМ132РУ5В | 2104.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 55 нс |
КМ132РУ8А | 2104.18-1 | Статическое ОЗУ 1К×4; 60 нс |
КМ132РУ8Б | 2104.18-1 | Статическое ОЗУ 1К×4; 100 нс |
КМ132РУ9А | 2104.18-1 | Статическое ОЗУ 1К×4; 50 нс |
КМ132РУ9Б | 2104.18-1 | Статическое ОЗУ 1К×4; 90 нс |
КР132РУ3А | 2103.16-6 | Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс |
КР132РУ3Б | 2103.16-6 | Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс |
КР132РУ4А | 2103.16-6 | Статическое ОЗУ 1К×1; 33 нс |
КР132РУ4Б | 2103.16-6 | Статическое ОЗУ 1К×1; 50 нс |
КР132РУ6А | 2140Ю.20-3 | Статическое ОЗУ 16К×1; 45 нс; 410 мВт |
КР132РУ6Б | 2140Ю.20-3 | Статическое ОЗУ 16К×1; 70 нс; 410 мВт |
КР132РУ7 | 2140Ю.20-3 | Статическое ОЗУ 2К×8; 250 нс |
КМ185РУ7 | 2108.22-1 | ОЗУ 256×4; 75 нс; 495 мВт |
КМ185РУ7А | 2108.22-1 | ОЗУ 256×4; 45 нс; 450 мВт |
КМ185РУ8 | 2108.22-1 | ОЗУ 256×8; 45 нс; 925 мВт |
КМ185РУ10 | 2108.22-1 | ОЗУ 16К×1; 50 нс; 750 мВт |
КР185РУ7 | 210А.22-3 | ОЗУ 256×4; 75 нс; 495 мВт |
КР185РУ7А | 210А.22-3 | ОЗУ 256×4; 45 нс; 450 мВт |
КР188РУ2А | 238.16-1 | Статическое ОЗУ 256×1; 500 нс |
К537РУ3А | 4116.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 250 нс |
К537РУ3Б | 4116.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 160 нс |
К537РУ4А | 4116.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 200 нс; 40 мкВт (в режиме хранения информации) |
К537РУ4Б | 4116.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 300 нс; 80 мкВт (в режиме хранения информации) |
К537РУ4В | 4116.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 500 нс; 80 мкВт (в режиме хранения информации) |
К537РУ13 | 427.18-2.02 | Статическое ОЗУ 1К×4; 150 нс; 60 мкВт (в режиме хранения информации) |
КМ537РУ1 | 201.16-15 | Статическое ОЗУ 1К×1; 300 нс |
КР537РУ1 | 238.16-1 | Статическое ОЗУ 1К×1; 300 нс |
КР537РУ2А | 2107.18-4 | Статическое ОЗУ 4К×1; 300 нс |
КР537РУ2Б | 2107.18-4 | Статическое ОЗУ 4К×1; 430 нс |
КР537РУ3А | 2107.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 250 нс; 100 мВт; 5 мкВт (в режиме хранения информации) |
КР537РУ3Б | 2107.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 160 нс; 100 мВт; 250 мкВт (в режиме хранения информации) |
КР537РУ5А | 210А.22-3 | Статическое ОЗУ 1К×4; 300 нс |
КР537РУ5Б | 210А.22-3 | Статическое ОЗУ 1К×4; 400 нс |
КР537РУ8А | 239.24-2 | Статическое ОЗУ 2К×8; 220 нс |
КР537РУ8Б | 239.24-2 | Статическое ОЗУ 2К×8; 400 нс |
КР537РУ10А | 239.24-2 | Статическое ОЗУ 2К×8; 200 нс |
КР537РУ11А | 239.24-2 | Статическое ОЗУ 256×16; 440 нс; 1,5 мВт (в режиме хранения информации) |
КР537РУ11Б | 239.24-2 | Статическое ОЗУ 256×16; 440 нс; 2,4 мВт (в режиме хранения информации) |
КР537РУ13 | 2107.18-1 | Статическое ОЗУ 1К×4; 160 нс |
К541РТ1 | 402.16-21 | ПЗУ 256×4; 80 нс; 400 мВт |
К541РУ2 | 427.18-2.03 | Статическое ОЗУ 1К×4; 120 нс |
К541РУ2А | 427.18-2.03 | Статическое ОЗУ 1К×4; 90 нс; 525 мВт |
КР541РУ1 | 2107.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 100 нс; 490 мВт |
КР541РУ1А | 2107.18-1 | Статическое ОЗУ 4К×1; 70 нс; 450 мВт |
КР541РУ2 | 2107.18-1 | Статическое ОЗУ 1К×4; 120 нс; 550 мВт |
КЕ565РУ1А | 2108.22-8 | Динамическое ОЗУ 4К×1; 400 нс; +5, −5, −12 В |
КЕ565РУ1Б | 2108.22-8 | Динамическое ОЗУ 4К×1; 590 нс; +5, −5, −12 В |
КР565РУ1А | 210А.22-3 | Динамическое ОЗУ 4К×1; 400 нс; +5, −5, −12В |
КР565РУ1Б | 210А.22-3 | Динамическое ОЗУ 4К×1; 590 нс; +5, −5, −12В |
КР565РУ5В | 2103.16-8 | Динамическое ОЗУ 64К×1; 150 нс; +5В; 195 мВт |
КР565РУ5Г | 2103.16-8 | Динамическое ОЗУ 64К×1; 200 нс; +5В; 185 мВт |
КР565РУ5Е | 2103.16-8 | Динамическое ОЗУ около 64К×1; 250 нс; +5В; 160 мВт |
КР565РУ6Б | 2103.16-2 | Динамическое ОЗУ 16К×1; 120 нс; +5В; 140 мВт |
КР565РУ6В | 2103.16-2 | Динамическое ОЗУ 16К×1; 150 нс; +5В; 120 мВт |
КР565РУ6Г | 2103.16-2 | Динамическое ОЗУ 16К×1; 200 нс; +5В; 115 мВт |
КР565РУ6Д | 2103.16-2 | Динамическое ОЗУ 16К×1; 250 нс; +5В; 110 мВт |
К1500РУ073 | 4114.24-3 | ОЗУ 64×4, 6 нс; 990 мВт |
КМ1603РУ1 | 210А.22-1 | Статическое ОЗУ 256×4; 360 нс; 75 мкВт (в режиме хранения информации) |
К565РУ3[править | править код]
К565РУ3 — электронный компонент, микросхема динамического ОЗУ с произвольным доступом, имеющая ёмкость 16 384 бит и организацию 16 384×1.
К565РУ7[править | править код]
Микросхема К565РУ7 представляет собой выполненное по полупроводниковой технологии на n-канальных МОП-транзисторах устройство с произвольной выборкой динамического типа ёмкостью 262 144 бит (организация 262 144×1 разряд).
Микросхемы для построения ПЗУ[править | править код]
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/3/33/%D0%9C%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0_%D0%9A%D0%A0556%D0%A0%D0%A211.jpg/220px-%D0%9C%D0%B8%D0%BA%D1%80%D0%BE%D1%81%D1%85%D0%B5%D0%BC%D0%B0_%D0%9A%D0%A0556%D0%A0%D0%A211.jpg)
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/5/55/USSR_EPROM_K573RFI_OTK0583_%281%29.jpg/220px-USSR_EPROM_K573RFI_OTK0583_%281%29.jpg)
Этот раздел статьи ещё не написан. |
ИМС | Тип корпуса | Примечание |
---|---|---|
КР556РТ2 | 2121.28-1 | Матрица ПЛМ, 16 входных переменных, 48 конъюкций, 8 выходных переменных, ТС |
КР556РТ4 | 238.16-2 | ПЗУ 256×4; ОК; 70 нс; 683 мВт |
КР556РТ4А | 238.16-2 | ПЗУ 256×4; ОК; 45 нс; 683 мВт |
КР556РТ5 | 239.24-2 | ПЗУ 512×8; ОК; 70 нс; 1Вт |
КР556РТ6 | 239.24-2 | ПЗУ 2Kx8; ОК; 80 нс; 1Вт |
КР556РТ7 | 239.24-2 | ПЗУ 2Kx8; ТС; 80 нс; 1Вт |
КР556РТ11 | 238.16-2 | ПЗУ 256×4; ТС; 45 нс; 650 мВт |
КР556РТ16 | 239.24-2 | ПЗУ 8Kx8; ТС; 85 нс; 950 мВт |
КР556РТ18 | 239.24-2 | ПЗУ 2Kx8; ТС; 60 нс; 900 мВт |
КР556РТ20 | 239.24-2 | ПЗУ 1Kx8; ТС; 30 нс; 960 мВт |
КР558РР1 | 405.24-7 | ЭППЗУ 256×8; 5мкс; 370 мВт |
КР558РР2А | 405.24-7 | ЭППЗУ 2Кx8; 350 нс; 490 мВт |
КР558РР2Б | 405.24-7 | ЭППЗУ 2Кx8; 700 нс; 490 мВт |
КР558РР4 | 2121.28-5 | ЭППЗУ 8Кx8; 400 нс; 400 мВт |
КР558ХП1 | 239.24-2 | 7-разрядный десятичный счетчик, ЭППЗУ, дешифратор двоичного кода |
КР558ХП2 | 2103.16-6 | 24-разрядный сдвиговый регистр, ЭППЗУ 16×24; 310 мВт |
КР568РЕ1 | 2120.24-3 | ПЗУ статического типа 2Кx8; 700 нс |
КР568РЕ2 | 2121.28-5 | ПЗУ 8Кx8; 250 нс; 420 мВт |
КР568РЕ3 | 2121.28-5 | ПЗУ 16Кx8; 550 нс; 315 мВт |
К573РР2 | 2120.24-1.02 | ЭППЗУ 2Кx8; 350 нс; +5В; 590 мВт |
К573РР21 | 2120.24-1.02 | ЭППЗУ 1Кx8; 350 нс; +5В; 590 мВт |
К573РР22 | 2120.24-1.02 | ЭППЗУ 1Кx8; 350 нс; +5В; 590 мВт |
К573РФ1 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 820 мВт |
К573РФ2 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; 440 мВт |
К573РФ3 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 400 нс; +5В; 200 мВт |
К573РФ3А | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 550 нс; +5В; 446 мВт |
К573РФ3Б | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 800 нс; +5В; 446 мВт |
К573РФ4А | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 300 нс; +5В; 650 мВт |
К573РФ4Б | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 450 нс; +5В; 650 мВт |
К573РФ5 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; +5В; 525 мВт |
К573РФ6А | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 300 нс; +5В; 790 мВт |
К573РФ6Б | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 450 нс; +5В; 790 мВт |
К573РФ7 | 2121.28-6 | ППЗУ с УФ-стиранием 32Кx8; 300 нс; 600 мВт |
К573РФ11 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 512×8; 450 нс; 820 мВт |
К573РФ12 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 512×8; 450 нс; 820 мВт |
К573РФ13 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 820 мВт |
К573РФ14 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 820 мВт |
К573РФ21 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 440 мВт |
К573РФ22 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 440 мВт |
К573РФ23 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; 440 мВт |
К573РФ24 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; 440 мВт |
К573РФ31 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400 нс; 400 мВт |
К573РФ32 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400 нс; 400 мВт |
К573РФ33 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400 нс; 400 мВт |
К573РФ34 | 210Б.24-5 | ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx16; 400 нс; 400 мВт |
К573РФ41А | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 650 мВт |
К573РФ41Б | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 650 мВт |
К573РФ42А | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 650 мВт |
К573РФ42Б | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 650 мВт |
К573РФ43А | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 650 мВт |
К573РФ43Б | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 650 мВт |
К573РФ44А | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 650 мВт |
К573РФ44Б | 2121.28-8 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 650 мВт |
К573РФ61А | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 790 мВт |
К573РФ61Б | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 790 мВт |
К573РФ62А | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 790 мВт |
К573РФ62Б | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 790 мВт |
К573РФ63А | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 790 мВт |
К573РФ63Б | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 790 мВт |
К573РФ64А | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 790 мВт |
К573РФ64Б | 2121.28-6.04 | ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 790 мВт |
См. также[править | править код]
Примечания[править | править код]
Литература[править | править код]
- Алишов Н. И., Нестеренко Н. В., Новиков Б. В. и др. Глава 2.3 БИС ЗУ для построения внутренней памяти // Справочник по персональным ЭВМ / Под. ред. чл.-корр. АН УССР Б. Н. Малиновского. — К.: «Тэхника», 1990. — 384 с. — 45 000 экз. — ISBN 5-335-00168-2.
- Все отечественные микросхемы. — 2-е изд., переработанное и дополненное. — М.: Издательский дом «Додэка-XXI», 2004. — 400 с. — ISBN 5-94120-034-X.
- С. В. Якубовский, Н. А. Барканов, Л. И. Ниссельсон и др. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы. Справочное пособие. / под ред. С. В. Якубовского.. — 2-е изд., перераб. и доп.. — М.: Радио и связь, 1985. — 432 с. — (Проектирование РЭА на интегральных микросхемах).
- С. В. Якубовский, Л. И. Ниссельсон, В. И. Кулешова и др. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник. / под ред. С. В. Якубовского. — М.: Радио и связь, 1990. — 496 с. — ISBN 5-256-00259-7.
- В. В. Баранов, Н. В. Бекин, А. Ю. Гордонов. Полупроводниковые БИС запоминающих устройств. Справочник / под ред. А . Ю. Гордонова и Ю. Н. Дьякова.. — М.: Радио и связь, 1987. — 360 с.