Тайминги (оперативная память)

У этого термина существуют и другие значения, см. Латентность и CAS.

Лэтэнси (в том числе англ. CAS Latency, CL; жарг. тайминг) — временна́я задержка сигнала при работе динамической оперативной памяти со страничной организацией, в частности, SDRAM. Эти временны́е задержки также называют таймингами и для краткости записывают в виде трех чисел, по порядку: CAS Latency, RAS to CAS Delay и RAS Precharge Time. От них в значительной степени зависит пропускная способность участка «процессор-память» и задержки чтения данных из памяти и, как следствие, быстродействие системы.

Мера таймингов — такт шины^{[какой?]} памяти. Таким образом, каждая цифра в формуле 2-2-2 означает задержку сигнала для обработки, измеряемая в тактах шины памяти. Если указывается только одна цифра (например, CL2), то подразумевается только первый параметр, то есть CAS Latency.

Иногда формула таймингов для памяти может состоять из четырёх цифр, например 2-2-2-6. Последний параметр называется «DRAM Cycle Time Tras/Trc» и характеризует быстродействие всей микросхемы памяти. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).

Производители обычно снабжают свои чипы, на основе которых построена планка памяти, информацией о рекомендуемых значениях таймингов для наиболее распространенных частот системной шины. На планке памяти информация хранится в чипе SPD и доступна чипсету. Просмотреть эту информацию можно программным образом, например, программой CPU-Z.

С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность оперативной памяти до её покупки. Таймингам памяти поколений DDR и DDR2 придавалось большое значение, поскольку кэш процессора был относительно мал и программы часто обращались к памяти. Таймингам памяти поколения DDR3 уделяется меньше внимания, поскольку современные процессоры (например AMD Bulldozer, Trinity и Intel Core i5, i7) имеют сравнительно большие L2-кэши и снабжены огромным L3-кэшем, что позволяет этим процессорам гораздо реже обращаться к памяти, а в некоторых случаях программа и её данные целиком помещается в кэш процессора (см. Иерархия памяти).

Тайминги

Имя параметра	Обозначение	Определение
CAS-лэтэнси	CL	Задержка между отправкой в память адреса столбца и началом передачи данных. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда нужная строка уже открыта.
Row Address to Column Address Delay	TRCD	Число тактов между открытием строки и доступом к столбцам в ней. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти без активной строки — TRCD + CL.
Row Precharge Time	TRP	Число тактов между командой на предварительный заряд банка (закрытие строки) и открытием следующей строки. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда активна другая строка — TRP + TRCD + CL.
Row Active Time	TRAS	Число тактов между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд. Время на обновление строки. Накладывается на TRCD. Минимальное время между активацией и предварительной зарядкой ряда памяти. Это количество циклов, в течение которых строка памяти может быть доступна для чтения/записи. Обычно примерно равно не ниже TRCD + TRP.
Примечания: RAS : Row Address Strobe — строб адреса строки CAS : Column Address Strobe — строб адреса столбца TWR : Write Recovery Time, время, между последней командой на запись и предзарядом. Обычно TRAS = TRCD + TWR. TRC : Row Cycle Time. TRC = TRAS + TRP.

CAS-латентность

CAS-латентность (от англ. column address strobe latency, CAS latency, CL, CAS-задержка) — это период ожидания (выраженный в количестве циклов тактовой частоты шины памяти) между запросом процессора на получение содержимого ячейки памяти из открытой строки и временем, когда оперативная память сделает доступной для чтения первую ячейку запрошенного адреса.

Модули памяти SDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 1, 2 или 3 циклам. Модули DDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 2 или 2,5.

На модулях памяти обозначается как CAS или CL. Пометка CAS2, CAS-2, CAS=2, CL2, CL-2 или CL=2 обозначает величину задержки, равную 2.

Примерные данные CAS-латентности памяти

Примерные данные CAS-латентности памяти

Поколение	Тип	Скорость передачи данных (мегатранзакций в секунду)	Время передачи бита	Скорость выдачи команд	Длительность цикла	CL	1-е слово	4-е слово	8-е слово
SDRAM	PC100	100 MT/s	10 ns	100 MHz	10 ns	2	20 ns	50 ns	90 ns
	PC133	133 MT/s	7.5 ns	133 MHz	7.5 ns	3	22.5 ns	45 ns	75 ns
DDR SDRAM	DDR-333	333 MT/s	3 ns	166 MHz	6 ns	2.5	15 ns	24 ns	36 ns
	DDR-400	400 MT/s	2.5 ns	200 MHz	5 ns	3	15 ns	22.5 ns	32.5 ns
						2.5	12.5 ns	20 ns	30 ns
						2	10 ns	17.5 ns	27.5 ns
DDR2 SDRAM	DDR2-667	667 MT/s	1.5 ns	333 MHz	3 ns	5	15 ns	19.5 ns	25.5 ns
						4	12 ns	16.5 ns	22.5 ns
	DDR2-800	800 MT/s	1.25 ns	400 MHz	2.5 ns	6	15 ns	18.75 ns	23.75 ns
						5	12.5 ns	16.25 ns	21.25 ns
						4.5	11.25 ns	15 ns	20 ns
						4	10 ns	13.75 ns	18.75 ns
	DDR2-1066	1066 MT/s	0.95 ns	533 MHz	1.9 ns	7	13.13 ns	15.94 ns	19.69 ns
						6	11.25 ns	14.06 ns	17.81 ns
						5	9.38 ns	12.19 ns	15.94 ns
						4.5	8.44 ns	11.25 ns	15 ns
						4	7.5 ns	10.31 ns	14.06 ns
DDR3 SDRAM	DDR3-1066	1066 MT/s	0.9375 ns	533 MHz	1.875 ns	7	13.13 ns	15.95 ns	19.7 ns
	DDR3-1333	1333 MT/s	0.75 ns	666 MHz	1.5 ns	9	13.5 ns	15.75 ns	18.75 ns
						6	9 ns	11.25 ns	14.25 ns
	DDR3-1375	1375 MT/s	0.73 ns	687 MHz	1.5 ns	5	7.27 ns	9.45 ns	12.36 ns
	DDR3-1600	1600 MT/s	0.625 ns	800 MHz	1.25 ns	9	11.25 ns	13.125 ns	15.625 ns
						8	10 ns	11.875 ns	14.375 ns
						7	8.75 ns	10.625 ns	13.125 ns
						6	7.50 ns	9.375 ns	11.875 ns
	DDR3-2000	2000 MT/s	0.5 ns	1000 MHz	1 ns	10	10 ns	11.5 ns	13.5 ns
						9	9 ns	10.5 ns	12.5 ns
						8	8 ns	9.5 ns	11.5 ns
						7	7 ns	8.5 ns	10.5 ns

Литература

• Владимир Львович Бройдо. Архитектура ЭВМ и систем: [по направлению подгот. "Информ. системы"]. — Издательский дом "Питер", 2009. — С. 201—202. — 721 с. — ISBN 9785388003843.

Ссылки

• «Что такое тайминги?», Antinomy, Overclockers.ua, 28.06.2007
• Тайминги
• Влияние частоты и таймингов оперативной памяти на производительность платформы Intel LGA 1156 3DNews
• Новый стандарт памяти SDRAM DDR 3. Тайминги