Трахтенберг, Леонид Израйлевич

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
В Википедии есть статьи о других людях с такой фамилией, см. Трахтенберг; Трахтенберг, Леонид.
Трахтенберг Леонид Израйлевич
Дата рождения 16 апреля 1946(1946-04-16) (77 лет)
Место рождения
Страна
Научная сфера Нанотехнологии и информационные технологии
Место работы
Альма-матер
Учёная степень доктор физико-математических наук
Учёное звание профессор
Награды и премии Премия Правительства Российской Федерации в области образования

Леони́д Израйлевич Трахтенбе́рг (род. 16 апреля 1946, Винница, УССР) − советский и российский физик, доктор физико-математических наук, профессор, лауреат премии правительства РФ в области образования, член Общественного совета при Министерстве науки и высшего образования РФ[1]. Специалист в области нанотехнологий и информационных технологий. Основные работы Л. И. Трахтенберга относятся к элементной базе этих технологий.

Автор 275 научных работ, из них 7 монографий, 6 патентов, 22 обзора в российских и международных монографиях и журналах.

Член редколлегии журнала «Химическая физика». Председатель государственных комиссий по защите дипломов в МФТИ и МГУ.

Специальный курс лекций в МФТИ «Электрофизические и физико-химические свойства нанокомпозиционных материалов».

Биография[править | править код]

В 1953 году поступил в среднюю школу, которую закончил в 1964 году. Параллельно учился в строительном техникуме — закончил в 1965 году. В 1965 году поступил учиться в Московский физико-технический институт — закончил в 1971 году. В 1971 году начал работать в НИФХИ им. Л. Я. Карпова в должности стажера-исследователя. В 1977 году защитил кандидатскую диссертацию. В 1986 году защитил докторскую диссертацию. В 1998 году присвоено звание профессора.

Научная деятельность[править | править код]

Чувствительные элементы на основе наноструктурированных смешанных оксидов. Эксперимент:[2][3][4][5][6]

  • Изучено влияние взаимодействия между наночастицами на величину сенсорного эффекта.
  • Предложена концепция создания чувствительного слоя на основе смешанных оксидов. Используются смеси, состоящие из богатых электронами и каталитически активных оксидов.
  • Разработана рецептура высокочувствительного слоя сенсоров на восстановительные газы (водород, уга́рный газ, метан и др.). Получены соответствующие международные патенты[7][8]. Сенсоры выпускаются.

Моделирование электронной подсистемы полупроводниковых наночастиц и сенсорного эффекта в датчиках на их основе:[9][10][11][12][13]

  • Развита непротиворечивая модель, описывающая зарядовую структуру сферической полупроводниковой наночастицы. Задача решена без упрощающих предположений, из первых принципов.
  • На основании этой модели предложена новая концепция сенсорного механизма, позволяющая описа́ть основные закономерности работы сенсора и создавать чувствительные слои с заданными свойствами.

Броуновские наномоторы:[14][15][16][17][18][19]

  • Разработаны модели броуновских моторов, с дрейфом наночастиц в асимметричных средах за счет изменения их размеров и/или дипольных моментов под действием внешнего электромагнитного излучения.
  • Разработана методика аналитического описания движения броуновских моторов с малыми флуктуациями потенциальной энергии.

Структурные, термодинамические и магнитные свойства наноструктурированных материалов для ВТСП устройств:[20][21][22]

  • Предложен метод усиления пиннинга и увеличения критического тока сверхпроводящих лент, путем замещения в ВТСП матрице YBa2Cu3Oy иттриевых ионов ферромагнитными.
  • Получен критерий сохранения ВТСП состояния: характерный размер области структурной однородности должен превышать размер куперовской пары.
  • Показано, что в структурно неоднородных ВТСП материалах высокотемпературная сверхпроводимость подавляется не только в узловой точке, но и около неё. Это приводит к конечной плотности металлических состояний при 0 K — возникновение «плоского дна» в ВТСП щели.

Магнитные и электрические свойства ферромагнитных оксидов:[23][24][25][26]

  • Предложен, обоснован и экспериментально продемонстрирован новый принцип записи и считывания информации с использованием туннельного микроскопа с ферромагнитной иглой и элементов, содержащих ферромагнитные частицы размером порядка десятка нанометров. В основе метода лежат представления об отрицательном магнетосопротивлении и «распределенных электродах».
  • Найдено распределение электронов и положительных зарядов в сферической полупроводниковой наночастице с поверхностными ловушками электронов в однородном электрическом поле. Показано, что при относительно невысокой плотности доноров приповерхностные поля в областях входа и выхода поля из наночастицы заметно отличаются.

Туннелирование атомных частиц в химических реакциях:[27][28]

  • Создана общепризнанная в настоящее время теория туннельных реакций в конденсированной фазе, учитывающая роль среды и объясняющая экспериментальные данные. По сути, теория представляет описание продолжения закона Аррениуса в область низких температур с выходом на низкотемпературный предел химических реакций. Физический смысл заключается в следующем: проведен учёт влияния межмолекулярных колебаний на скорость туннельных химических реакций. При повышении температуры возрастает амплитуда тепловых колебаний, эффективное расстояние между реагентами уменьшается, а потенциальный барьер соответственно становится ниже. Так как вероятность туннелирования растет при понижении барьера, то константа скорости туннельной реакции возрастает с увеличением температуры.
  • Рассмотрено влияние различных типов и моделей межмолекулярных колебаний на величину и температурную зависимость константы скорости туннельных реакций: дебаевская и эйнштейновская модели, ориентационные колебания и кристаллическая решетка с точечными дефектами. Учтена также роль внешнего давления.

Тормозное излучение при рассеянии электрона на атоме:[29][30][31][32]

  • Теоретически решена задача о тормозном излучении при рассеянии электрона на атоме водорода. Показано, что существует дополнительный механизм тормозного излучения, получивший впоследствии название «поляризационного» тормозного излучения.
  • Показано, что в отличие от Модели Бете, когда учитывается только взаимодействие налетающего электрона с экранированным ядром, необходимо принимать во внимание взаимодействия налетающего электрона с ядром, с атомным электроном, а также взаимодействие налетающего и атомного электронов с электромагнитным полем вакуума.
  • Показано, что в отличие от предыдущих подходов, только такое решение имеет правильный классический предел. Действительно, оказалось, что в случае излучения фотонов с частотой заметно больше энергии ионизации атома, сечения тормозного эффекта при рассеянии электрона на атоме и «голом» ядре совпадают. В дальнейшем стали говорить о «раздевании» атома.

Монографии[править | править код]

  • В. И. Гольданский, Л. И. Трахтенберг, В. Н. Флеров, Современные представления о туннелировании тяжелых частиц в химических превращениях, «Итоги науки и техники», М., ВИНИТИ, 1985
  • В. И. Гольданский, Л. И. Трахтенберг, В. Н. Флеров, Туннельные явления в химической физике, Москва, Наука, 1986
  • V.I. Goldanskii, L.I. Trakhtenberg, V.N. Fleurov, Tunneling Phenomena in Chemical Physics, Gordon and Breach Science Publ., New York, 1989
  • E.I. Grigoriev, L.I. Trakhtenberg, Radiation Chemical Processes in Solid Phase: Theory and Application, CRC Press Inc., New York, London, Tokyo, 1996
  • Physico-Chemical Phenomena in Thin Films and at Solid Surfaces, Edited by L.I. Trakhtenberg, S.H. Lin and O.J. Ilegbusi, Elsevier Inc., Amsterdam, 2007
  • Синтез, строение и свойства металл/полупроводник содержащих наноструктурированных композитов / под редакцией Л. И. Трахтенберга, М. Я. Мельникова, Москва, Техносфера, 2016
  • Синтез и функциональные свойства гибридных наноформ биоактивных и лекарственных веществ / Под редакцией М. Я. Мельникова и Л. И. Трахтенберга, Москва, Техносфера, 2019

Награды[править | править код]

  • Премия Правительства РФ за научно-практическую разработку «Индивидуализированная многоуровневая система подготовки специалистов высшей квалификации в области естественных наук» 2012 год;[33]
  • Диплом и серебряная медаль на международной выставке изобретений в Женеве (1998 и 2007 гг.);
  • Премия Международного научного фонда (фонд Сороса) 1994 года за высокий импакт-фактор научных публикаций;
  • Премия Леди Дэвис Иерусалимского университета по химии за 2001—2002 г.г.

См. также[править | править код]

Примечания[править | править код]

  1. ↑ https://www.minobrnauki.gov.ru/ru/documents/card/?id_4=764&cat=/ru/documents/docs/.
  2. ↑ G.N. Gerasimov, V.F. Gromov, M.I. Ikim, O.J. Ilegbusi, L.I. Trakhtenberg. Effect of interaction between components of In2O3-CeO2 and SnO2-CeO2 nanocomposites on structure and sensing properties (англ.) // Sensors and Actuators B: Chemical. — 2019-1. — Vol. 279. — P. 22–30. — doi:10.1016/j.snb.2018.09.093. Архивировано 11 июля 2019 года.
  3. ↑ G.N. Gerasimov, V.F. Gromov, O.J. Ilegbusi, L.I. Trakhtenberg. The mechanisms of sensory phenomena in binary metal-oxide nanocomposites (англ.) // Sensors and Actuators B: Chemical. — 2017-3. — Vol. 240. — P. 613–624. — doi:10.1016/j.snb.2016.09.007. Архивировано 11 июля 2019 года.
  4. ↑ L.I. Trakhtenberg, G.N. Gerasimov, V.F. Gromov, T.V. Belysheva, O.J. Ilegbusi. Effect of composition and temperature on conductive and sensing properties of CeO2+In2O3 nanocomposite films (англ.) // Sensors and Actuators B: Chemical. — 2015-3. — Vol. 209. — P. 562–569. — doi:10.1016/j.snb.2014.12.022. Архивировано 11 июля 2019 года.
  5. ↑ L.I. Trakhtenberg, G.N. Gerasimov, V.F. Gromov, T.V. Belysheva, O.J. Ilegbusi. Conductivity and sensing properties of In2O3+ZnO mixed nanostructured films: Effect of composition and temperature (англ.) // Sensors and Actuators B: Chemical. — 2013-10. — Vol. 187. — P. 514–521. — doi:10.1016/j.snb.2013.03.017. Архивировано 7 марта 2022 года.
  6. ↑ L.I. Trakhtenberg, G.N. Gerasimov, V.F. Gromov, T.V. Belysheva, O.J. Ilegbusi. Effect of composition on sensing properties of SnO2+In2O3 mixed nanostructured films (англ.) // Sensors and Actuators B: Chemical. — 2012-7. — Vol. 169. — P. 32–38. — doi:10.1016/j.snb.2012.01.064. Архивировано 11 июля 2019 года.
  7. ↑ Gas Sensitive Materials For Gas Detection And Method Of Making. Дата обращения: 9 июля 2019.
  8. ↑ Sensitive Materials For Gas Sensing And Method Of Making Same. Дата обращения: 9 июля 2019.
  9. ↑ V.L. Bodneva, O.J. Ilegbusi, M.A. Kozhushner, K.S. Kurmangaleev, V.S. Posvyanskii. Modeling of sensor properties for reducing gases and charge distribution in nanostructured oxides: A comparison of theory with experimental data (англ.) // Sensors and Actuators B: Chemical. — 2019-5. — Vol. 287. — P. 218–224. — doi:10.1016/j.snb.2019.02.034.
  10. ↑ M. A. Kozhushner, V. L. Bodneva, I. I. Oleynik, T. V. Belysheva, M. I. Ikim. Sensor Effect in Oxide Films with a Large Concentration of Conduction Electrons (англ.) // The Journal of Physical Chemistry C. — 2017-03-30. — Vol. 121, iss. 12. — P. 6940–6945. — ISSN 1932-7455 1932-7447, 1932-7455. — doi:10.1021/acs.jpcc.6b10956. Архивировано 11 июля 2019 года.
  11. ↑ M. A. Kozhushner, B. V. Lidskii, I. I. Oleynik, V. S. Posvyanskii, L. I. Trakhtenberg. Inhomogeneous Charge Distribution in Semiconductor Nanoparticles (англ.) // The Journal of Physical Chemistry C. — 2015-07-16. — Vol. 119, iss. 28. — P. 16286–16292. — ISSN 1932-7455 1932-7447, 1932-7455. — doi:10.1021/acs.jpcc.5b01410. Архивировано 11 июля 2019 года.
  12. ↑ Mortko A. Kozhushner, Leonid I. Trakhtenberg, Valeria L. Bodneva, Tatyana V. Belisheva, Aaron C. Landerville. Effect of Temperature and Nanoparticle Size on Sensor Properties of Nanostructured Tin Dioxide Films (англ.) // The Journal of Physical Chemistry C. — 2014-05-29. — Vol. 118, iss. 21. — P. 11440–11444. — ISSN 1932-7455 1932-7447, 1932-7455. — doi:10.1021/jp501989k. Архивировано 11 июля 2019 года.
  13. ↑ Mortko A. Kozhushner, Leonid I. Trakhtenberg, Aaron C. Landerville, Ivan I. Oleynik. Theory of Sensing Response of Nanostructured Tin-Dioxide Thin Films to Reducing Hydrogen Gas (англ.) // The Journal of Physical Chemistry C. — 2013-06-06. — Vol. 117, iss. 22. — P. 11562–11568. — ISSN 1932-7455 1932-7447, 1932-7455. — doi:10.1021/jp311847j.
  14. ↑ V. M. Rozenbaum, I. V. Shapochkina, Y. Teranishi, L. I. Trakhtenberg. High-temperature ratchets driven by deterministic and stochastic fluctuations (англ.) // Physical Review E. — 2019-01-03. — Vol. 99, iss. 1. — ISSN 2470-0053 2470-0045, 2470-0053. — doi:10.1103/PhysRevE.99.012103.
  15. ↑ I.V. Shapochkina, V.M. Rozenbaum, S.-Y. Sheu, D.-Y. Yang, S.H. Lin. Relaxation high-temperature ratchets (англ.) // Physica A: Statistical Mechanics and its Applications. — 2019-1. — Vol. 514. — P. 71–78. — doi:10.1016/j.physa.2018.09.039.
  16. ↑ Viktor M. Rozenbaum, Marina L. Dekhtyar, Sheng Hsien Lin, Leonid I. Trakhtenberg. Photoinduced diffusion molecular transport (англ.) // The Journal of Chemical Physics. — 2016-08-14. — Vol. 145, iss. 6. — P. 064110. — ISSN 1089-7690 0021-9606, 1089-7690. — doi:10.1063/1.4960622. Архивировано 11 июля 2019 года.
  17. ↑ Yurii A. Makhnovskii, Viktor M. Rozenbaum, Sheh-Yi Sheu, Dah-Yen Yang, Leonid I. Trakhtenberg. Fluctuation-induced transport of two coupled particles: Effect of the interparticle interaction (англ.) // The Journal of Chemical Physics. — 2014-06-07. — Vol. 140, iss. 21. — P. 214108. — ISSN 1089-7690 0021-9606, 1089-7690. — doi:10.1063/1.4880416.
  18. ↑ JETP Letters: issues online. www.jetpletters.ru. Дата обращения: 9 июля 2019.
  19. ↑ JETP Letters: issues online. www.jetpletters.ru. Дата обращения: 9 июля 2019.
  20. ↑ JETP Letters: issues online. www.jetpletters.ru. Дата обращения: 9 июля 2019.
  21. ↑ JETP Letters: issues online. www.jetpletters.ru. Дата обращения: 9 июля 2019.
  22. ↑ Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. www.jetp.ras.ru. Дата обращения: 9 июля 2019. Архивировано 15 марта 2022 года.
  23. ↑ M.A. Kozhushner, A.K. Gatin, M.V. Grishin, B.R. Shub, V.P. Kim. Magnetization reversal of ferromagnetic nanoparticles induced by a stream of polarized electrons (англ.) // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 2016-9. — Vol. 414. — P. 38–44. — doi:10.1016/j.jmmm.2016.04.045. Архивировано 11 июля 2019 года.
  24. ↑ JETP Letters: issues online. www.jetpletters.ru. Дата обращения: 9 июля 2019.
  25. ↑ "Физика твердого тела". journals.ioffe.ru. Дата обращения: 9 июля 2019. Архивировано 16 сентября 2019 года.
  26. ↑ JETP Letters: issues online. www.jetpletters.ru. Дата обращения: 15 июля 2019.
  27. ↑ Atom Tunneling Phenomena in Physics, Chemistry and Biology (см. главу 3) / Tetsuo Miyazaki. — Berlin Heidelberg: Springer-Verlag, 2004. — (Springer Series on Atomic, Optical, and Plasma Physics). — ISBN 9783540015260. Архивировано 11 июля 2019 года.
  28. ↑ V. I. Gol'danskii, L. I. Trakhtenberg, V. N. Fleurov. Tunneling Phenomena in Chemical Physics. — CRC Press, 1988-01-01. — 348 с. — ISBN 9782881246555.
  29. ↑ Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. www.jetp.ras.ru. Дата обращения: 11 июля 2019.
  30. ↑ Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. www.jetp.ras.ru. Дата обращения: 11 июля 2019.
  31. ↑ Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. www.jetp.ras.ru. Дата обращения: 11 июля 2019.
  32. ↑ Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. www.jetp.ras.ru. Дата обращения: 11 июля 2019.
  33. ↑ Присуждение премий российского правительства в области образования. Российская газета. Дата обращения: 9 июля 2019. Архивировано 5 октября 2016 года.
Источник — https://wiki4.ru/w/index.php?title=Трахтенберг,_Леонид_Израйлевич&oldid=134840966